RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
28
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
14.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3204
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link