RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
67
Por volta de 58% menor latência
Razões a considerar
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
67
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
1798
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Nanya Technology M2F2G64CB88G7N-CG 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link