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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3128
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
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