RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
35
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
33
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
14.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3214
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link