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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
44
Por volta de -57% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.9
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
16.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2069
3835
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
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