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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
13.0
20.9
写入速度,GB/s
8.2
16.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
3835
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
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Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
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