Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

Unterschiede

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 44
    Rund um -57% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    20.9 left arrow 13
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    16.9 left arrow 8.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    44 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.0 left arrow 20.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.2 left arrow 16.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2069 left arrow 3835
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche