RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2069
3835
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link