RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
39
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
14.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
3461
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link