RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
39
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
31
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
13.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
3217
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB Comparações de RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link