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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
69
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
12.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2583
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
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ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
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