RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
53
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
53
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
11.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2476
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link