RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
39
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
24
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
7.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2408
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Relatar um erro
×
Bug description
Source link