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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
39
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
22
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
13.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
3182
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
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