Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Pontuação geral
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Pontuação geral
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    32 left arrow 39
    Por volta de -22% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    20.6 left arrow 11.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    14.7 left arrow 7.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 10600
    Por volta de 2.42 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    39 left arrow 32
  • Velocidade de leitura, GB/s
    11.7 left arrow 20.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.2 left arrow 14.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1749 left arrow 3393
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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