RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.7
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.2
6.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
39
Por volta de -22% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
32
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
9.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
6.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2017
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link