Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Pontuação geral
star star star star star
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    36 left arrow 39
    Por volta de -8% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.4 left arrow 11.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.3 left arrow 7.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 10600
    Por volta de 1.6 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    39 left arrow 36
  • Velocidade de leitura, GB/s
    11.7 left arrow 13.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.2 left arrow 10.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1749 left arrow 2466
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações