RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
39
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
28
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2920
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link