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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
56
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
15.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3693
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
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