RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
56
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.6
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
3693
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link