RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
5.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
26
Por volta de -4% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
12.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
5.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1966
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link