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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
5.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 -4% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
25
读取速度,GB/s
12.8
12.3
写入速度,GB/s
9.0
5.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1966
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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