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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
26
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2991
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
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Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
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