RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2991
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link