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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
32
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2959
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
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Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
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