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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
74
Por volta de 65% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
74
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1679
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
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