RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
74
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
74
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1679
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link