RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
74
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
74
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1679
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link