RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
32
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3625
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link