RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
37
Por volta de 30% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2802
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link