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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
94
Por volta de 72% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
6.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
94
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
6.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1390
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
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