RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
69
Por volta de 62% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
69
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1831
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB Comparações de RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link