RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
32
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2518
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link