RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
33
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2867
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link