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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
33
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2867
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
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