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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
34
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.9
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
19.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3271
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
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