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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2679
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
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Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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