RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
26
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2989
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link