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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
37
Por volta de 30% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2873
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
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Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
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Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
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