RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
26
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
21
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3042
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link