RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
2974
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link