RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
2974
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link