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Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Comparar
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
66
Por volta de 52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.8
7.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
7.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
32
66
Velocidade de leitura, GB/s
10.8
7.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
7.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2349
1862
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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