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Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
比较
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
总分
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
66
左右 52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.8
7.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
66
读取速度,GB/s
10.8
7.9
写入速度,GB/s
8.5
7.0
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2349
1862
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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