RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
66
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.8
7.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
32
66
Prędkość odczytu, GB/s
10.8
7.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2349
1862
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link