RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
76
Por volta de 33% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
76
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
1587
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link