RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
51
Por volta de -132% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
22
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3255
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link