RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
51
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
22
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
18.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3255
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link