RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
51
Por volta de -113% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
24
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2925
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston KVR648-PSB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link