RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2925
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link