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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
49
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
34
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
11.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
2962
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
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Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
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