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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
49
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
3076
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
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